Samsung приступает к производству 3 ГБ модулей памяти

Компания Samsung официально объявила, что первой приступает к выпуску компонентов памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса.

Используя данные компоненты, компания способна создавать модули, объёмом 3 ГБ, содержащие шесть чипов по 515 МБ, расположенные в двух симметричных стеках по три чипа в каждом. Максимальная скорость передачи данных достигает 2133 Мбит/с. Мобильный процессор будет соединяться с такой памятью по двум симметричным каналам с раздельным доступом каждого к 1,5 ГБ памяти.

С помощь новых модулей памяти компания рассчитывает перейти к выпуску смартфонов следующего поколения, в более тонком дизайне, но с дополнительным местом для размещения батареи. Благодаря увеличенной оперативной памяти производительность смартфонов приблизится к производительности ПК, которые сейчас оснащаются до 4 ГБ оперативной памяти.