Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства модулей памяти DDR4, по словам производителя, предназначенных для корпоративных серверов, работающих в составе вычислительных центров нового поколения.

В модулях объемом 16 и 32 ГБ используются микросхемы DDR4 DRAM плотностью 4 Гбит, изготавливаемые по технологии 20-нанометрового класса. Для сравнения составители пресс-релиза напоминают, что значительная часть широко распространенных модули DDR3 имеет объем 8 ГБ и выпускается по нормам 30-нанометрового класса.

Корпоративные серверы следующего поколения за счет использования более высокоскоростной памяти типа DRAM могут получить прирост производительности при снижении общего энергопотребления. Модули DDR4 являются самыми быстрыми модулями для серверов на сегодняшний день. Скорость передачи данных составляет 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза больше скорости модулей DDR3, в которых тоже используются микросхемы 20-нанометрового класса. При этом энергопотребление снижено более чем на 30%.

В 2008 году компания Samsung представила микросхемы памяти DDR3 плотностью 2 Гбит, выпускаемые по технологии 50-нанометрового класса. Другими словами, между поколениями памяти прошло пять лет.