
Корпорация Toshiba объявила о выпуске новой серии флэш-памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43нм техпроцессу. Разработчикам Toshiba удалось удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56нм нормам. Это максимально возможная на сегодняшний день плотность. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.|
Серийный номер
|
Плотность
|
Корпус
|
Page Size
|
Начало поставок
|
|
TH58NVG6S2EBA20
|
64Gb
|
BGA
|
Large
Block
|
2009, 1Q
|
|
TH58NVG5S2EBA20
|
32Gb
|
BGA
|
2009, 1Q
|
|
|
TC58NVG4S2EBA00
|
16Gb
|
BGA
|
2009, 1Q
|
|
|
TC58NVG3S2ETA00
|
8Gb
|
TSOP I
|
2009, 2Q
|
|
|
TC58NVG2S3ETA00
|
4Gb
|
TSOP I
|
2009, 2Q
|
|
|
TC58NVG2S3EBAJX
|
BGA
|
2009, 2Q
|
||
|
TC58NVG1S3ETA00
|
2Gb
|
TSOP I
|
2009, 1Q
|
|
|
TC58NVG1S3EBAJX
|
BGA
|
2009, 2Q
|
||
|
TC58NVG0S3ETA00
|
1Gb
|
TSOP I
|
Large
Block
|
2009, 2Q
|
|
TC58NVG0S3EBAJ5
|
BGA
|
|||
|
TC58DVG02A5TA00
|
TSOP I
|
Small
Block
|
2009, 3Q
|
|
|
TC58DVG02A5BAJ5
|
BGA
|
|||
|
TC58NVM9S3ETA00
|
512Mb
|
TSOP I
|
Large
Block
|
2009, 2Q
|
|
TC58NVM9S3EBAJW
|
BGA
|
|||
|
TC58DVM92A5TA00
|
TSOP I
|
Small
Block
|
2009, 3Q
|
|
|
TC58DVM92A5BAJW
|
BGA
|
|
Серийный номер
|
TC58NVG4S2EBA00
|
|
Плотность
|
16Gb
|
|
Напряжение
|
3.3В
|
|
Скорость программирования (типовая)
|
400 мкС / страница
|
|
Скорость стирания (типовая)
|
4 мС/ блок
|
|
Скорость доступа
|
40 мкС (случайный)
25 нС (последовательный) |
|
Размер
|
14мм x 18мм
|