Samsung увеличил плотность записи данных во флэш-памяти

Компания Samsung разработала первый в мире чип оперативной памяти DDR3 емкостью 4 Гб (512 МБ), изготовленный с использованием 50-нм технологического процесса.

Новый чип открывает возможности по созданию RDIMM-модулей оперативной памяти для серверов емкостью 16 ГБ, DIMM-модулей для настольных ПК емкостью 8 ГБ и модулей SODIMM для ноутбуков емкостью 4 ГБ. Благодаря новой разработке память ноутбука, например, может быть равна 8 ГБ при использовании всего двух плат.

Рабочее напряжение чипов составляет 1,35В, что на 20% ниже по сравнению с более ранними чипами DDR3 корейского поставщика. Максимальная скорость передачи данных составляет 1,6 Гбит/с, то есть 200 МБ в секунду.

Компания пока не сообщила, когда собирается приступить к массовому производству данных микросхем.

Источник: TC Magazine