Samsung представила 40-нанометровые микросхемы памяти

Южнокорейская компания Samsung сообщила о создании первой в мире микросхемы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), выполненной с применением 40-нанометровой технологии.

В настоящее время Samsung демонстрирует образцы 40-нанометровых микрочипов DDR2 емкостью 1 Гбит, а также модули DDR2-800 объемом 1 Гб. Микросхемы сертифицированы компанией Intel для работы вместе с набором системной логики Intel GM45 Express, предназначенным для использования в портативных компьютерах.

Разработчики отмечают, что микросхемы DRAM, изготовленные по 40-нанометровой технологии, обладают на 30% меньшим энергопотреблением по сравнению с чипами, произведенными с использованием 50-нанометрового техпроцесса. Таким образом, применение новых модулей памяти позволит несколько увеличить время автономной работы ноутбуков.

Массовое производство микросхем DRAM по 40-нанометровой методике Samsung планирует освоить в конце текущего года. На начальном этапе компания будет поставлять модули DDR3 емкостью 2 Гбит. В 2010 году на рынке также появятся микросхемы DDR2, изготовленные с использованием нового техпроцесса.

Источник: TC Mag