Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска графической памяти GDDR5 с использованием 50-нанометрического технологического процесса.

«Внедрение в серийное производство с начала 2009 года чипов GDDR5 поможет нам удовлетворить растущий спрос на более производительную графическую память для персональных компьютеров, графических карт и игровых консолей», сказал Муеез Дин (Mueez Deen), директор департамента мобильной и графической памяти Samsung Semiconductor, Inc. – «Поскольку GDDR5 является самой быстрой и наиболее эффективной памятью в мире, мы сможем улучшить игровые возможности на всех видах платформ».


Новая память поддерживает максимальную скорость обмена 7,0 Гбит/с. Это соответствует пропускной способности 28 ГБ/с, что вдвое превосходит показатель памяти GDDR4, равный 12,8 ГБ/с.

В отличие от памяти GDDR4, в которой операции обращения жестко связаны с тактовой частотой, GDDR5 имеет преимущество в быстродействии, обуславливаемое отсутствием необходимости синхронизации между импульсами тактовой частоты и сигналами, соответствующими функциям чтения и записи.

Применение норм 50-нанометрового процесса, как ожидает компания, позволит вдвое повысить эффективность производства по сравнению с производством, в котором применяется 60-нанометровый техпроцесс. Кроме того, память Samsung GDDR5 работает при напряжении питания 1,35 В, что соответствует снижению энергопотребления на 20% по сравнению с памятью GDDR4, которой необходимо напряжение 1,8 В.

Поставки компонентов плотностью 32 Мбит x32, которые можно конфигурировать, как 64 Мбит x16, уже начались. Компания рассчитывает, что поставки памяти GDDR5 составят не менее 20% от поставок всей графической памяти в текущем году.

Источник: Samsung Electronics