Samsung Electronics заявил, что намерен к концу года начать массовое производство чипов следующего поколения памяти DDR3, созданной на основе 40-нанометровой технологии.

Компания объявила недавно об успешной сертификации первого гигабитного 40 нм чипа DDR2, а также модуля памяти DDR2 800 SO-DIMM на 1 Гб в программе Intel Platform Validation. Это позволяет использовать данные разработки с мобильными чипсетами Intel GM45 серии Express.

Samsung предполагает использовать 40- нанометровый технологический процесс для для массовго производства 2-гигабитных модулей на основе DDR3 уже в конце текущего года.

Новый 40нм техпроцесс обещает до 30 процентов сократить энергопотери, а его внедрение представляется важным шагом для перехода на следующее поколение памяти DDR4.
Источник: Digitimes