FeRAM - ферроэлектрическая память наибольшей плотности и скорости от Toshiba

На международной конференции по полупроводниковым интегральным микросхемам (International Solid-State Circuits Conference, ISSCC) компания Toshiba поделилась очередными результатами своих разработок в области энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (FeRAM).

Разработки ферроэлектрической памяти наибольшей плотности начались еще в 2001 году. Пионерами стали компании Toshiba и Infineon, которые через 2 года представили первый 32-мегабайтный чип.

Новинка, получившая название FeRAM, представляет собой энергонезависимую память, сочетающую скорость DRAM и SRAM со способностью флэш-памяти хранить данные без энергопитания. Среди других достоинств FeRAM - низкое потребление энергии и большой запас по количеству циклов чтения-записи. Это делает её пригодной для широкого ряда применений - от смарт-карт до мобильной техники.

Был продемонстрирован чип плотностью 128 Мбит, изготовленный с соблюдением норм 130 нм. По словам Toshiba, размер ячейки памяти составляет 0,252 кв.мкм, скорости чтения и записи равны 1,6 ГБ/с, длительность цикла обращения составляет 83 нс, а время выборки - 43 нс. На данный момент, продемонстрированная Toshiba память имеет лучшее сочетание плотности и быстродействия, когда-либо достигнутое при создании энергонезависимой памяти.

В новой памяти используется усовершенствованная архитектура chainFeRAM, позволившая преодолеть одно из ограничений FeRAM - ухудшение характеристик с уменьшением размера ячеек. До настоящего времени это и другие ограничения не позволяли расширить область применения FeFRAM и вывести ее за пределы определенных ниш. Обычно применение FeFRAM ограничивается заменой SRAM во встраиваемых системах. Поэтому новую разработку Toshiba вполне можно считать шагом на пути к превращению FeRAM в "универсальную память", которая, как ожидается, однажды вытеснит флэш-память и память типа DRAM.

По материалам Toshiba и AkihabaraNews